关于挥发性碳硅烷的相关产品介绍
1.碳化硅薄膜和缓冲层
2.用于低 k 阻挡层和蚀刻停止层的 SiCO:H 薄膜
3.碳掺杂（拉伸应变）硅
4.碳氮化硅用于硅基光伏电池的钝化
5.ALD 促进图案化和种子层
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通过适当选择碳硅烷前体和沉积条件，碳化硅骨架可以向取代硅和类金刚石结构转变。
碳硅烷是这样的化合物，其中硅和碳元素根据以下通用结构以大约 1:1 的比例在分子骨架或聚合物主链中交替：
一、碳硅烷化合物
二甲基硅烷：
附加属性：水解敏感性与碱水溶液发生反应
应用：
通过等离子体 CVD 生成立方碳化硅。
采用三极等离子体 CVD 进行立方碳化硅外延生长。
二烷基硅烷还原剂：
有机硅烷与烃类似，具有充当离子还原剂和自由基还原剂的能力。这些试剂及其反应副产物比许多其他还原剂更安全、更容易处理和处置。硅的金属性质及其相对于氢的低电负性导致 Si-H 键极化，产生氢化氢和与铝、硼和其他金属基氢化物相比更温和的还原剂。硅基还原剂手册的表总结了一些关键的硅烷还原。
挥发性碳硅烷：
碳硅烷是其中硅和碳元素在分子骨架或聚合物主链中以大约1:1的比例交替的化合物。通过适当选择碳硅烷前体和沉积条件，碳化硅骨架可以向取代硅和类金刚石结构转变。
二、低聚硅烷和聚硅烷
聚二甲基硅烷：
应用：
用于碳氮化硅薄膜的CVD。
在高温下形成聚碳硅烷。
安全：
氮气 下包装
挥发性碳硅烷：
碳硅烷是其中硅和碳元素在分子骨架或聚合物主链中以大约1:1的比例交替的化合物。通过适当选择碳硅烷前体和沉积条件，碳化硅骨架可以向取代硅和类金刚石结构转变。
挥发性高级硅烷：
挥发性高级硅烷是低温、高沉积速率的前体。通过适当选择前体和沉积条件，硅沉积可以从非晶氢化硅转向微晶硅结构。当硅原子数量增加到超过两个时，电子能够进行西格玛–西格玛键共轭。三个氢原子中的两个在末端硅原子上的解离吸附具有较低的能垒。
聚（二甲基硅烷）；聚二甲基硅：
1.预陶瓷聚合物
2.在达到熔点 250-270 °C 之前会发生大幅降解
3.DP：25-50
4.在高温下形成聚碳硅烷
5.用于硅基光伏电池钝化的挥发性碳氮化硅 (SiCN) 前体的固态源
6.用于碳氮化硅薄膜的CVD
7.在 650 °C 以上的温度下转化为碳硅烷
